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纯国产闪存芯片重大突破:长江存储实现192层NAND芯片

 发布时间:2022-09-30 04:32:57 来源:华体会娱乐平台 作者:华体会官方下载

  根据相关消息报道,近日国产存储芯片大厂已经完成了192层的3D NAND闪存样品的自主研发,并在今年年底前会实现量产交付。而此前长江存储也表示已经推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。

  根据相关消息报道,近日国产存储芯片大厂已经完成了192层的3D NAND闪存样品的自主研发,并在今年年底前会实现量产交付。而此前长江存储也表示已经推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。

  这两则新闻意味着什么呢?其实对于国产存储芯片来说,这两则新闻意味着我国的国产芯片存储技术已经达到了全球第一梯队的水平。

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